छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

BSB012NE2LXIXUMA1

टिप्पणी गर्नुहोस्: सक्रिय-सेमी BSB012NE2LXIXUMA1 chipnets.com मा उपलब्ध छ। हामी नयाँ र मूल भाग मात्र बिक्री गर्छौं र 1 वर्ष वारेन्टी समय प्रस्ताव गर्दछौं। यदि तपाईं उत्पादनहरू बारे थप जान्न चाहनुहुन्छ वा अझ राम्रो मूल्य लागू गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस् अनलाइन च्याटमा क्लिक गर्नुहोस् वा हामीलाई उद्धरण पठाउनुहोस्।

सबै इलेक्ट्रोनिक्स कम्पोनेन्टहरू ESD एन्टिस्टेटिक सुरक्षा द्वारा धेरै सुरक्षित रूपमा प्याक गरिनेछ।

package

निर्दिष्टीकरण

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला	OptiMOS™
प्याकेज	Tape & Reel (TR)
भाग स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
टेक्नोलोजी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी	25 V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस	170A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन)	4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs	1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी	2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds	5852 pF @ 12 V
FET फिचर	-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज	MG-WDSON-2, CanPAK M™
प्याकेज / केस	3-WDSON

खरीद विकल्पहरू

स्टक स्थिति: उही दिन ढुवानी

न्यूनतम: 1

मात्रा	एकाइ मूल्य	विस्तार मूल्य
मूल्य उपलब्ध छैन, कृपया RFQ

भाडा गणना

FedEx द्वारा US $40।

3-5 दिनमा आइपुग्छ

एक्सप्रेस:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ भन्दा माथिको अर्डरको लागि पहिलो 0.5kg मा नि:शुल्क ढुवानी, अधिक वजन छुट्टै चार्ज गरिनेछ।

लोकप्रिय मोडेलहरू

	BSB012NE2LXIXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB044N08NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB056N10NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB028N06NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB008NE2LXXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB015N04NX3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB019N03LX G IR (Infineon Technologies)
	BSB012NE2LX IR (Infineon Technologies)
	BSB014N04LX3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB024N03LX G IR (Infineon Technologies)

यो वस्तु तपाईंको कार्टमा थपिएको छ।