छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

BSZ105N04NSGATMA1

टिप्पणी गर्नुहोस्: सक्रिय-सेमी BSZ105N04NSGATMA1 chipnets.com मा उपलब्ध छ। हामी नयाँ र मूल भाग मात्र बिक्री गर्छौं र 1 वर्ष वारेन्टी समय प्रस्ताव गर्दछौं। यदि तपाईं उत्पादनहरू बारे थप जान्न चाहनुहुन्छ वा अझ राम्रो मूल्य लागू गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस् अनलाइन च्याटमा क्लिक गर्नुहोस् वा हामीलाई उद्धरण पठाउनुहोस्।

सबै इलेक्ट्रोनिक्स कम्पोनेन्टहरू ESD एन्टिस्टेटिक सुरक्षा द्वारा धेरै सुरक्षित रूपमा प्याक गरिनेछ।

package

निर्दिष्टीकरण

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला	OptiMOS™
प्याकेज	Bulk
भाग स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
टेक्नोलोजी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी	40 V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस	11A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन)	10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 14µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
FET फिचर	-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
अपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज	PG-TSDSON-8
प्याकेज / केस	8-PowerTDFN

खरीद विकल्पहरू

स्टक स्थिति: उही दिन ढुवानी

न्यूनतम: 1

मात्रा	एकाइ मूल्य	विस्तार मूल्य
मूल्य उपलब्ध छैन, कृपया RFQ

भाडा गणना

FedEx द्वारा US $40।

3-5 दिनमा आइपुग्छ

एक्सप्रेस:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ भन्दा माथिको अर्डरको लागि पहिलो 0.5kg मा नि:शुल्क ढुवानी, अधिक वजन छुट्टै चार्ज गरिनेछ।

लोकप्रिय मोडेलहरू

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

यो वस्तु तपाईंको कार्टमा थपिएको छ।