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निर्माता भाग नम्बर: | SISA18ADN-T1-GE3 |
निर्माता: | Vishay / Siliconix |
विवरणको अंश: | MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 |
डाटाशीटहरू: | SISA18ADN-T1-GE3 डाटाशीटहरू |
लीड फ्री स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS अनुरूप |
स्टक अवस्था: | स्टक मा |
बाट जहाज: | Hong Kong |
ढुवानी मार्ग: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
टाइप गर्नुहोस् | विवरण |
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श्रृंखला | TrenchFET® |
प्याकेज | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
भाग स्थिति | Active |
FET प्रकार | N-Channel |
टेक्नोलोजी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 30 V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 38.3A (Tc) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 4.5V, 10V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 2.4V @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
Vgs (अधिकतम) | +20V, -16V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | PowerPAK® 1212-8 |
प्याकेज / केस | PowerPAK® 1212-8 |
स्टक स्थिति: 2421
न्यूनतम: 1
मात्रा | एकाइ मूल्य | विस्तार मूल्य |
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FedEx द्वारा US $40।
3-5 दिनमा आइपुग्छ
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