छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

A2G35S200-01SR3

निर्माता भाग नम्बर:	A2G35S200-01SR3
निर्माता:	NXP Semiconductors
विवरणको अंश:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
डाटाशीटहरू:	A2G35S200-01SR3 डाटाशीटहरू
लीड फ्री स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS अनुरूप
स्टक अवस्था:	स्टक मा
बाट जहाज:	Hong Kong
ढुवानी मार्ग:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

टिप्पणी गर्नुहोस्: सक्रिय-सेमी A2G35S200-01SR3 chipnets.com मा उपलब्ध छ। हामी नयाँ र मूल भाग मात्र बिक्री गर्छौं र 1 वर्ष वारेन्टी समय प्रस्ताव गर्दछौं। यदि तपाईं उत्पादनहरू बारे थप जान्न चाहनुहुन्छ वा अझ राम्रो मूल्य लागू गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस् अनलाइन च्याटमा क्लिक गर्नुहोस् वा हामीलाई उद्धरण पठाउनुहोस्।

सबै इलेक्ट्रोनिक्स कम्पोनेन्टहरू ESD एन्टिस्टेटिक सुरक्षा द्वारा धेरै सुरक्षित रूपमा प्याक गरिनेछ।

package

निर्दिष्टीकरण

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला	-
प्याकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग स्थिति	Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार	GaN HEMT
फ्रिक्वेन्सी	3.4GHz ~ 3.6GHz
पाउनु	16.1dB
भोल्टेज - परीक्षण	48 V
वर्तमान रेटिंग (एम्प्स)	-
शोर फिगर	-
वर्तमान - परीक्षण	291 mA
पावर - आउटपुट	180W
भोल्टेज - रेटेड	125 V
प्याकेज / केस	NI-400S-2S
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज	NI-400S-2S

खरीद विकल्पहरू

स्टक स्थिति: 182

न्यूनतम: 1

मात्रा	एकाइ मूल्य	विस्तार मूल्य
मूल्य उपलब्ध छैन, कृपया RFQ

भाडा गणना

FedEx द्वारा US $40।

3-5 दिनमा आइपुग्छ

एक्सप्रेस:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ भन्दा माथिको अर्डरको लागि पहिलो 0.5kg मा नि:शुल्क ढुवानी, अधिक वजन छुट्टै चार्ज गरिनेछ।

लोकप्रिय मोडेलहरू

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

यो वस्तु तपाईंको कार्टमा थपिएको छ।