छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

DF200R12KE3HOSA1

टिप्पणी गर्नुहोस्: सक्रिय-सेमी DF200R12KE3HOSA1 chipnets.com मा उपलब्ध छ। हामी नयाँ र मूल भाग मात्र बिक्री गर्छौं र 1 वर्ष वारेन्टी समय प्रस्ताव गर्दछौं। यदि तपाईं उत्पादनहरू बारे थप जान्न चाहनुहुन्छ वा अझ राम्रो मूल्य लागू गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस् अनलाइन च्याटमा क्लिक गर्नुहोस् वा हामीलाई उद्धरण पठाउनुहोस्।

सबै इलेक्ट्रोनिक्स कम्पोनेन्टहरू ESD एन्टिस्टेटिक सुरक्षा द्वारा धेरै सुरक्षित रूपमा प्याक गरिनेछ।

package

निर्दिष्टीकरण

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला	-
प्याकेज	Bulk
भाग स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
कन्फिगरेसन	Single
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)	-
पावर - अधिकतम	1040 W
Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.15V @ 15V, 200A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	5 mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce	14 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
NTC थर्मिस्टर	No
अपरेटिंग तापमान	-40°C ~ 125°C
माउन्टिंग प्रकार	Chassis Mount
प्याकेज / केस	Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज	Module

खरीद विकल्पहरू

स्टक स्थिति: उही दिन ढुवानी

न्यूनतम: 1

मात्रा	एकाइ मूल्य	विस्तार मूल्य
मूल्य उपलब्ध छैन, कृपया RFQ

भाडा गणना

FedEx द्वारा US $40।

3-5 दिनमा आइपुग्छ

एक्सप्रेस:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ भन्दा माथिको अर्डरको लागि पहिलो 0.5kg मा नि:शुल्क ढुवानी, अधिक वजन छुट्टै चार्ज गरिनेछ।

लोकप्रिय मोडेलहरू

	DF200R12PT4B6BOSA1 Rochester Electronics
	DF200R12KE3HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3B27BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3FB11BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3FB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

यो वस्तु तपाईंको कार्टमा थपिएको छ।